ASDM30DN30E-R دیتاشیت

ASDM30DN30E-R

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت ASDM30DN30E-R
حجم فایل 65.036 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 7

مشاهده دیتاشیت ASDM30DN30E-R

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: 2 N-Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: Ascend ASDM30DN30E-R
  • Operating Temperature: -55°C~+150°C@(Tj)
  • Power Dissipation (Pd): 26W
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs): 9.82nC@4.5V
  • Drain Source Voltage (Vdss): 30V
  • Input Capacitance (Ciss@Vds): 896pF@15V
  • Continuous Drain Current (Id): 30A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 2.5V@250uA
  • Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds): 108pF@15V
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 15mΩ@10V,15A
  • Package: DFN-8(3x3)
  • Manufacturer: Ascend

محصولات مشابه